三星高管暗示其 HBM 芯片已获英伟达质量测试重大进展
10 月 31 日消息，三星电子内存业务副总裁 Kim Jae-june 在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示：“目前，我们正在量产 8 层和 12 层 HBM3E 产品。”
据他所说，该公司在满足“主要客户”的质量测试要求方面取得了“有意义的进展”。该客户很显然指的是英伟达。
他还表示：“我们正在向多个客户扩大 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的销售。我们正在努力改进我们的 HBM3E，以符合一家大客户的下一代 GPU 计划。”
此外，三星还表示该公司正在开发第 6 代 HBM4 产品，计划从明年下半年开始批量生产。
目前，三星电子 HBM3E 产品完全依赖于其 14nm 级（注：即 1a nm）DRAM，而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与美光的产品则基于 1b DRAM，三星天然存在相对工艺劣势。
此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到 HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。
相关阅读：
《消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存》
《消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计》
《消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减 HBM 内存产能规划》
